Examinando por Autor "Ordoñez Ñañez, John Edward"

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    PublicaciónAcceso abierto
    Crecimiento y caracterización de bicapas BaTiO3 /La2/3Ca1/3MnO3 crecidas sobre sustratos SrTiO3
    (2015-01-26) Ordoñez Ñañez, John Edward
    En este trabajo hemos investigado las propiedades eléctricas y magnéticas de bicapas BaTiO3/La2/3Ca1/3MnO3 y La2/3Ca1/3MnO3/BaTiO3 sobre sustratos monocristalinos de SrTiO3 y Nb: SrTiO3. Las películas fueron depositadas utilizando los mismos valores de parámetros de crecimiento, por medio de la técnica deposición de láser pulsado (PLD), en atmosfera de alta presión de oxígeno a 400 mTorr para La2/3Ca1/3MnO3 (LCMO) y 3.0 mTorr para BaTiO3 (BTO); a una temperatura de sustrato de 820 °C. Para obtener estos valores de deposición apropiados para el crecimiento de las bicapas, primero se optimizaron los parámetros de crecimiento para cada óxido.
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    PublicaciónAcceso abierto
    Estudio del efecto de conmutación resistiva en dispositivos tipo capacitor de In/Hf02/Pt
    (Universidad del Valle, 2019) Quiñones Penagos, Mario Fernando; Gómez de Prieto, María Elena; Ordoñez Ñañez, John Edward
    El dióxido de hafnio HfO2 es un material con una alta constante dieléctrica y un band gap cerca de 5.0 eV, a su vez este material ha presentado el efecto de conmutación resistiva, lo cual lo hace un candidato importante para aplicaciones en micro y nano electrónica. Se depositó películas delgadas de HfO2 sobre sustratos de Pt/TiO2/SiO2/Si, utilizando la técnica de pulverización catódica asistida por magnetrón RF, en una atmósfera de oxígeno a una presión de 10-1 mbar y una temperatura de sustrato de 550 oC. También se realizó una variación sistemática del espesor de la película de HfO2 entre 23 nm y 155 nm para observar el efecto del espesor de la capa de HfO2 sobre el efecto de conmutación resistiva.