Examinando por Materia "Nanoelectrónica"

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    PublicaciónAcceso abierto
    Escalones interactuantes y formación de islas durante el crecimiento epitaxial 2.
    (2018-04-25) González Cabrera, Diego Luis; Einstein, T. L.; Pimpinelli, Alberto
    Los procesos de crecimiento manifiestan una serie de fenómenos fuera del equilibrio los cuales han sido objeto de muchos estudios durante los últimos años. Sin embargo, la importancia de los procesos de crecimiento van más allá del contexto académico. Por ejemplo, el conocimiento de los procesos atomísticos envueltos en el crecimiento de películas en el régimen submonocapa es crucial en la producción de dispositivos nanoelectrónicos.
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    PublicaciónAcceso abierto
    Estudio del efecto de conmutación resistiva en dispositivos tipo capacitor de In/Hf02/Pt
    (Universidad del Valle, 2019) Quiñones Penagos, Mario Fernando; Gómez de Prieto, María Elena; Ordoñez Ñañez, John Edward
    El dióxido de hafnio HfO2 es un material con una alta constante dieléctrica y un band gap cerca de 5.0 eV, a su vez este material ha presentado el efecto de conmutación resistiva, lo cual lo hace un candidato importante para aplicaciones en micro y nano electrónica. Se depositó películas delgadas de HfO2 sobre sustratos de Pt/TiO2/SiO2/Si, utilizando la técnica de pulverización catódica asistida por magnetrón RF, en una atmósfera de oxígeno a una presión de 10-1 mbar y una temperatura de sustrato de 550 oC. También se realizó una variación sistemática del espesor de la película de HfO2 entre 23 nm y 155 nm para observar el efecto del espesor de la capa de HfO2 sobre el efecto de conmutación resistiva.