Estudio del efecto de conmutación resistiva en heteroestructuras basadas en óxidos multifuncionales.

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dc.contributor.authorGross, Katherine
dc.contributor.authorGómez de Prieto, María Elena
dc.contributor.authorLopera Muñoz, Wilson
dc.contributor.authorPorras Montenegro, Nelson
dc.contributor.authorSuárez, Luisa Fernanda
dc.contributor.authorBetancourt, John
dc.contributor.authorQuiñonez, Mario Fernando
dc.contributor.authorTorres, Margoth Lorena
dc.contributor.authorCeballos, Santiago
dc.contributor.authorMarín, Lorena
dc.contributor.authorRamírez, Juan Gabriel
dc.contributor.corporatenameGrupo de investigación Películas Delgadas, Física Teórica del Estado Sólido.spa
dc.date.accessioned2021-06-16T15:12:38Z
dc.date.available2021-06-16T15:12:38Z
dc.date.issued2019-07-12
dc.description.abstractLa conmutación resistiva de estructuras tipo conductor/aislante/conductor es actualmente un tópico altamente investigado debido a su potencial aplicación en el campo de dispositivos de memoria no volátil. El propósito general de este proyecto consistió en estudiar los mecanismos de conducción en el efecto de conmutación resistiva (RS) en películas y heteroestructuras basadas en óxidos multifuncionales y su dependencia con parámetros de fabricación y propiedades físicas de los materiales involucrados. Específicamente se fabricaron películas delgadas de óxidos multifuncionales tales como YBa2Cu3O7-δ, La1-xCaxMnO3, BiFeO3, HfO2, CeO2, ZnO(Co, Mn), YMnO3, CuO2, entre otros, las cuales fueron caracterizadas en sus propiedades físicas, estructurales, morfológicas y de transporte eléctrico. Una vez los sistemas estuvieron caracterizados a modo de monocapas, se fabricaron estructuras capacitivas tipo conductor/aislante/conductor utilizando los diferentes materiales óxidos en combinaciones tales como HfO2/Pt/TiO2/SiO2/Si, La1-xCaxMnO3/YBa2Cu3O7-δ, BiFeO3/YBa2Cu3O7-δ, (Mn, Co)ZnO/YMnO3, entre otros. Sobre estos sistemas se realizaron mediciones de magnitudes físicas que permitieron caracterizar el fenómeno de conmutación resistiva (Curvas I-V, capacitancia, r(R)=RHRS/RLRS, tiempos de retención, entre otros) y su dependencia con parámetros de deposición y material de los electrodos con el fin de dilucidar sobre los mecanismos de conducción. Se identificó que el espesor del óxido aislante juega un papel importante en la conmutación eléctrica del dispositivo; tal es el caso del sistema HfO2/Pt/TiO2/SiO2/Si. Este sistema se caracterizó usando indio (In) como electrodo superior variando el espesor de la capa HfO2 en un rango de 20 a 155 nm. Al variar el espesor, el dispositivo exhibió respuestas de conmutación resistiva diferentes de carácter unipolar, bipolar y complementaria. El dispositivo In/HfO2(155nm)/Pt exhibió un tiempo de retención superior a 1.8 x 105 s, valor con el cual se extrapola la retención de los estados de resistencia a un orden de 10 años. Por otro lado, se estudió la respuesta de conmutación resistiva en función del material del electrodo superior, usando YBa2Cu3O7-δ y Ag en el sistema BiFeO3/YBa2Cu3O7-δ; encontrándose asimetrías en las curvas corriente-voltaje que permiten elucidar el mecanismo de conducción presente en cada caso.spa
dc.format.extent1 recurso en línea (20 páginas)spa
dc.format.mimetypeapplication/pdfspa
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10893/20422
dc.language.isospaspa
dc.publisherUniversidad del Vallespa
dc.publisher.placeColombiaspa
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessspa
dc.subject.ddcConmutación resistiva
dc.subject.ddcPelículas delgadas
dc.subject.ddcMemorias resistivas
dc.subject.ddcManganitas
dc.subject.ddcPerovskitas
dc.subject.ddcDifracción de rayos X
dc.subject.ddcÓxidos
dc.subject.ddcComputación neuromórfica
dc.titleEstudio del efecto de conmutación resistiva en heteroestructuras basadas en óxidos multifuncionales.spa
dc.typeInforme de investigaciónspa
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_18wsspa
dc.type.contentTextspa
dc.type.driverinfo:eu-repo/semantics/reportspa
dc.type.redcolhttps://purl.org/redcol/resource_type/INFspa
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersionspa
dspace.entity.typePublication
oaire.accessrightshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2spa
oaire.awardnumber71109spa
oaire.awardtitleEstudio del efecto de conmutación resistiva en heteroestructuras basadas en óxidos multifuncionales.spa
oaire.fundernameUniversidad del Vallespa
oaire.fundernameUniversidad de los Andesspa
oaire.versionhttp://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85spa
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