Se reportan resultados experimentales de mediciones de fotoconductividad. en nitruros de Silicio Amorfo Hidrogenado, preparados por descomposición en un plasma gaseoso de una mezcla de S1H4/N2. para diferentes composiciones y temperaturas del sustrato. De estas mediciones se obtiene una información cuantitativa acerca de la concentración de estados en el gap, como función de los parámetros de producción.