Fotoconductividad en películas de a-SiNx:H preparados por Glow Discharge.

dc.contributor.authorCastro, Luis Femando
dc.contributor.authorPrieto, Pedro
dc.contributor.authorGómez, María E.
dc.date.accessioned2013-06-28T17:06:24Z
dc.date.available2013-06-28T17:06:24Z
dc.date.issued2013-06-28
dc.description.abstractSe reportan resultados experimentales de mediciones de fotoconductividad. en nitruros de Silicio Amorfo Hidrogenado, preparados por descomposición en un plasma gaseoso de una mezcla de S1H4/N2. para diferentes composiciones y temperaturas del sustrato. De estas mediciones se obtiene una información cuantitativa acerca de la concentración de estados en el gap, como función de los parámetros de producción.spa
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10893/4438
dc.language.isospaspa
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessspa
dc.subjectFotoconductividadspa
dc.titleFotoconductividad en películas de a-SiNx:H preparados por Glow Discharge.spa
dc.typeArtículo de revistaspa
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